在材料科学中，二氧化硅（SiO₂）和硅晶体（Si）是两种常见的物质，它们在工业和自然界中都有着广泛的应用。然而，当涉及到熔点这一物理特性时，两者之间的差异便显得尤为突出。

首先，让我们明确二者的化学结构。二氧化硅是一种由硅原子和氧原子组成的化合物，其晶体结构通常呈现为三维网络状。这种结构使得二氧化硅具有极高的键能，因此它的熔点非常高，达到了约1710摄氏度。相比之下，纯硅晶体虽然也具有较高的熔点，但其数值仅为约1410摄氏度。由此可见，在熔点方面，二氧化硅明显高于硅晶体。

造成这种差异的原因主要在于它们内部化学键的强度。二氧化硅中的硅氧键非常牢固，需要更多的能量才能破坏这些键，从而使其熔化。而硅晶体尽管同样以共价键为主，但由于其结构相对简单，且存在一定的晶格缺陷或杂质影响，导致其熔点略低于二氧化硅。

此外，在实际应用中，这两种材料因其独特的性能被赋予了不同的用途。例如，二氧化硅由于耐高温、耐腐蚀等优点，常用于制造玻璃、陶瓷以及半导体行业的绝缘层；而硅晶体则因为良好的导电性和可加工性，成为现代电子工业的核心材料之一。

综上所述，“二氧化硅与硅晶体的熔点哪个高”的答案显而易见——二氧化硅的熔点更高。这也再次证明了化学组成和晶体结构对材料性质的重要性。通过对这类基本科学问题的研究，我们不仅能够更好地理解自然界的规律，还能为新材料的研发提供理论依据和技术支持。